[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月22日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月21日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月20日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月19日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月18日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月15日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月14日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月13日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月12日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月11日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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隆眾資訊8月8日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月7日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月6日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月5日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月4日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊8月1日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊7月31日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊7月30日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊7月29日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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[硅碳負(fù)極]：深圳斯諾硅碳負(fù)極裝置動(dòng)態(tài)

隆眾資訊7月28日?qǐng)?bào)道：目前，斯諾的SiO產(chǎn)品克容量達(dá)到500mAh/g以上，首次庫(kù)倫效率達(dá)89%以上，能夠?qū)崿F(xiàn)800周循環(huán)保持率達(dá)80%以上深圳斯諾通過(guò)自主研發(fā)，采用SiO納米化技術(shù)、碳包覆技術(shù)、歧化技術(shù)、石墨復(fù)合技術(shù)，制備碳包覆SiOx/石墨復(fù)合材料，在降低SiO體積效應(yīng)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)能量密度和循環(huán)性能的同步提高有別于傳統(tǒng)制備技術(shù)中SiO和石墨簡(jiǎn)單混合或復(fù)合工藝，深圳斯諾硅碳產(chǎn)品制備的碳包覆SiOx/石墨復(fù)合負(fù)極材料，材料生產(chǎn)工藝獨(dú)特，在技術(shù)上解決了SiO在充電過(guò)程中的膨脹效應(yīng)，安全性能得到較大提升，同時(shí)循環(huán)性能也得到明顯改善。

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