【海東紅獅半導體有限公司】年產500噸硅基電子特氣項目意見稿公示

海東紅獅半導體有限公司年產500噸硅基電子特氣項目環(huán)境影響報告書（征求意見稿）公示本項目建成實施后，可形成年產160噸高純一氯三氫硅（MCS），200噸 高純六氯乙硅烷（HCDS）和140噸高純二氯二氫硅（DCS）的生產能力及灌充能力。

下游動態(tài)

晶盛機電：逐步實現(xiàn)8-12英寸半導體大硅片設備的國產化突破

11月4日，晶盛機電在電話會議中表示，在半導體設備領域，公司逐步實現(xiàn)8-12英寸半導體大硅片設備的國產化突破，相關產品實現(xiàn)批量銷售在半導體行業(yè)持續(xù)復蘇的發(fā)展背景下，公司原有8-12英寸大硅片設備市場進一步提升，并在功率半導體設備和先進制程設備端快速實現(xiàn)市場突破，公司8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內頭部封裝客戶，12英寸硅減壓外延生長設備實現(xiàn)銷售出貨并拓展了新客戶，相關設備訂單持續(xù)增長。

產業(yè)資訊

湖北迅盛半導體材料：半導體級硅烷特氣項目正式開工

10月23日，宜荊荊都市圈首個跨市州“飛地”項目——湖北迅盛半導體材料科技有限公司年產612噸半導體級硅烷特氣項目，在松宜協(xié)同發(fā)展示范園正式開工 該項目總投資18.66億元，占地183畝，分兩期建設，全部建成后年稅收預計可達2.58億元項目采用合成催化工藝和改良小松法工藝生產乙硅烷、丙硅烷和甲硅烷三大產品，產品為新一代信息技術核心集成電路產業(yè)的重要原材料，主要應用于IC晶圓半導體、高階集成電路20納米以下的芯片、內存、閃存、新一代柔性面板等領域。

下游動態(tài)

半導體大直徑硅單晶拋光片生產線項目 模板、方木 招標公告

木材招采

大全能源：半導體級多晶硅首批產品5月出爐

7月5日，大全能源在互動平臺表示，公司半導體級多晶硅首批產品已于2024年5月順利出爐，現(xiàn)處于產品質量爬坡階段，下一步將進入產品分級驗證階段，未來會根據驗證結果制定后續(xù)發(fā)展計劃得益于在光伏級多晶硅領域沉淀的技術優(yōu)勢和市場認可度，已有國內外多家下游客戶向公司表達了合作意向，目前正在積極溝通過程中

企業(yè)動態(tài)

北方特氣：硅基新材料及第三代半導體材料一體化項目開工

未來，北方特氣將把舟山高新區(qū)作為創(chuàng)造輝煌的新起點，全力打造中國最大的硅基新材料及第三代半導體新材料生產基地，為舟山海洋經濟高質量發(fā)展貢獻力量 來源：舟山發(fā)布

下游動態(tài)

眾合科技：擁有完整的半導體硅片制備工藝和3-8尺寸的硅片生產線

6月20日，眾合科技在互動平臺表示，公司擁有完整的半導體硅片制備工藝和3-8尺寸的硅片生產線，可實現(xiàn)從晶體生長、切片、研磨、拋光的全鏈條生產在拋光片領域，海納子公司日本松崎已經是東芝、富士電機、瑞薩電子等全球知名企業(yè)的穩(wěn)定供應商，已在中小尺寸硅片市場形成較強的競爭力主要競爭對手為滬硅產業(yè)、立昂微和中晶科技等

企業(yè)動態(tài)

內蒙古大全半導體：硅基電子特氣項目備案

5月28日，內蒙古自治區(qū)投資項目在線審批辦事大廳就內蒙古大全半導體電子特氣項目備案項目簡介 項目名稱 內蒙古大全半導體電子特氣項目 建設地點 內蒙古自治區(qū)包頭市九原區(qū)哈林格爾鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)起航大街1號 建設單位 內蒙古大全半導體有限公司 建設規(guī)模及內容 建設規(guī)模：年產6000噸電子級二氯二氫硅，1000噸電子級硅烷氣，40噸六氯乙硅烷，400噸電子級氯化氫，1000噸超高純氫氣，1000噸電子級四氯化硅，2000噸電子級三氯氫硅。

下游動態(tài)

大全能源半導體級多晶硅項目首批產品順利出爐

內蒙古大全半導體有限公司總經理對新華財經表示，首批產品出爐表明半導體項目流程已完全打通，下一步將盡快完成質量爬坡和產品分級驗證 2021年，大全能源規(guī)劃在內蒙古自治區(qū)包頭市建設20萬噸高純多晶硅項目和2.1萬噸半導體級硅基材料項目，預計總投資242.5億元其中，一期年產1000噸半導體級多晶硅項目占地約135畝，于2022年二季度正式開工，并在2023年9月成立內蒙古大全半導體有限公司進行獨立運營。

熱點資訊

意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

12月22日，意法半導體官微宣布，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議按照協(xié)議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署據介紹，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET技術

汽車

云南省發(fā)改委關于宇澤半導體年產22GW單晶硅片建設項目節(jié)能報告的審查意見

云南省發(fā)展和改革委員會關于云南宇澤半導體有限公司年產22GW單晶硅片建設項目節(jié)能報告的審查意見 云發(fā)改資環(huán)〔2023〕1250號 楚雄州發(fā)展和改革委員會： 《楚雄州發(fā)展和改革委員會關于請求對云南宇澤半導體有限公司年產22GW單晶硅片建設項目節(jié)能報告進行審查的請示》（楚發(fā)改資環(huán)〔2023〕130號）收悉。

熱點資訊

南大光電：擬投建68噸半導體先進制程用硅前驅體材料

11月1日，南大光電半導體材料有限公司年產68噸半導體先進制程用硅前驅體材料項目受理公示 為著力加快金屬前驅體、硅前驅體新產品開發(fā)及產業(yè)化進程，推動關鍵原材料自主可控，南大光電半導體材料有限公司投資12000萬元，于滁州市全椒縣十譚產業(yè)園化工集中區(qū)南大光電半導體材料有限公司內投建68噸半導體先進制程用硅前驅體材料 項目建設規(guī)模：一期：建設雙（二乙基胺基）硅烷（BDEAS）和雙（叔丁基胺基）硅烷（BTBAS）產線（共線），年產能為7.5噸，其中BDEAS年產能為6噸，BTBAS年產能為1.5噸；二異丙胺硅烷（DIPAS）產線，年產能為30噸；二氯二氧化鉬（MoO2Cl2）產線，年產能為1噸；辛烷（C8H18）產線，年產能為1噸。

下游動態(tài)

內蒙古鑫華半導體科技有限公司一萬噸半導體級多晶硅項目傳來新進展

近日，內蒙古鑫華半導體科技有限公司一萬噸半導體級多晶硅項目傳來新進展 該項目目前已進入設備安裝階段，工程總體進度已完成85%，預計今年9月底竣工，10月調試并運行，本年度可生產多晶硅1000噸 鑫華一萬噸半導體級多晶硅項目總投資28.3億元，于2022年9月開工建設，占地約324畝，總設備1100臺，可年產高純電子級多晶硅10000噸、二氯二氫硅500噸、三氯氫硅3000噸、四氯化硅3000噸。

熱點資訊

年產10萬噸半導體單晶硅石英坩堝項目奠基

8月26日，市委編辦招商引資的年產10萬噸半導體單晶硅石英坩堝項目，在黃岡化工園舉行奠基儀式 該項目投資方為湖北溥源石英科技有限公司項目投產后，可實現(xiàn)年銷售收入1.6億元，年稅收2000萬元，吸納就業(yè)人員120人 據介紹，石英坩堝材料是半導體集成電路、航空航天、國防軍工等戰(zhàn)略性新興產業(yè)中不可替代的多功能關鍵性材料，在國民經濟建設中具有重要戰(zhàn)略地位。

熱點資訊

麗豪半導體10萬噸高純晶硅項目落地宜賓

3月31日，四川麗豪半導體一期項目年產10萬噸高純晶硅+2000噸半導體級晶硅項目在四川省宜賓市珙縣經濟開發(fā)區(qū)正式啟動這是宜賓引進落地的首個硅料生產項目，將進一步推動宜賓新能源產業(yè)延鏈、補鏈、強鏈，助力宜賓打造國家級晶硅光伏千億產業(yè)集群 據悉，該項目一期項目總投資約110億元，建設年產10萬噸高純晶硅+2000噸半導體級晶硅生產線，項目預計2024年8月建成投產，屆時麗豪半導體高純晶硅產能規(guī)模將達到25萬噸。

行業(yè)要聞

麗豪半導體年產10萬噸高純晶硅+2000噸半導體級晶硅項目正式啟動

3月31日，四川麗豪半導體材料有限公司一期項目年產10萬噸光伏級高純晶硅+2000噸電子級高純晶硅項目在四川省宜賓市珙縣經開區(qū)余菁功能區(qū)正式啟動據悉，該項目一期項目總投資約110億元，建設年產10萬噸高純晶硅+2000噸半導體級晶硅生產線，項目預計2024年8月竣工投運，屆時麗豪半導體高純晶硅產能規(guī)模將達到25萬噸 該項目是宜賓市引進落地的首個硅料生產項目，也是宜賓市落地珙縣的第一個投資及產值超百億元的制造業(yè)項目，項目全面投產后可實現(xiàn)年產值200億元、稅收20億元，將進一步補齊上游硅料生產短板，促進產業(yè)延鏈補鏈強鏈，實現(xiàn)晶硅光伏產業(yè)全產業(yè)鏈集群發(fā)展。

項目動態(tài)

麗豪半導體簽約10萬噸多晶硅+2000噸電子級晶硅項目

2023年1月6日，麗豪半導體三期10萬噸高純晶硅綠色能源項目簽約儀式在四川省宜賓市隆重舉行，宜賓發(fā)展創(chuàng)投有限公司、珙縣人民政府與青海麗豪半導體材料有限公司共同簽署年產10萬噸光伏級高純度多晶硅+2000噸電子級晶硅項目 據了解，青海麗豪半導體材料此前一期5萬噸高純晶硅項目自2021年8月1日破土動工以來，歷時12個月完成項目建設，于并于2022年7月30 日正式投產；二期年產10萬噸項目土建一、二標段已于2022年10月開工建設，目前正在按照“五優(yōu)目標”如火如荼建設中。

行業(yè)要聞

第四代半導體材料領域取得重要進展 氧化鎵VS碳化硅

據悉，氧化鎵 ( Ga2O3 ) 是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料與碳化硅、氮化鎵相比，氧化鎵基功率器件具備高耐壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點氧化鎵因其基板制作相較于SiC與GaN更容易，又因為其超寬禁帶的特性，材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，使其在超高功率元件之應用極具潛力 而據了解，禁帶寬度越大，越能增加寬禁帶器件能夠承受的峰值電壓，器件的輸出功率可以大大提高。

國內資訊

TCL入股硅谷數(shù)模半導體

天眼查App顯示，近日，硅谷數(shù)模（蘇州）半導體有限公司發(fā)生工商變更，股東新增深圳TCL戰(zhàn)略股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、深圳市創(chuàng)新投資集團有限公司等，同時，公司注冊資本由約581.96萬增至約813.49萬，增幅約39.78%

家電

捷佳偉創(chuàng)：碳化硅高溫熱處理設備已發(fā)貨給行業(yè)頭部客戶

9月9日，捷佳偉創(chuàng)在互動平臺表示，目前公司的半導體清洗設備不斷獲得新訂單、碳化硅高溫熱處理工藝設備也已發(fā)貨給行業(yè)頭部客戶，并且公司在持續(xù)研發(fā)其他半導體及泛半導體相關設備

生產動態(tài)