西安：到2027年光伏產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模達到2100億元

6．推動新產(chǎn)品新技術(shù)試樣鼓勵光伏“鏈主”企業(yè)向配套企業(yè)提供光伏熱場材料、光伏銀漿、超細金剛石線、鈣鈦礦電池材料等應(yīng)用場景和試驗環(huán)境，為配套企業(yè)提供產(chǎn)品驗證、試樣場景，推動新產(chǎn)品、新技術(shù)迭代升級 7．加大招引配套企業(yè)制定產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜和招商目標(biāo)企業(yè)清單，招引硅片環(huán)節(jié)金剛線，電池環(huán)節(jié)漿料、網(wǎng)板，組件環(huán)節(jié)焊帶、背板，逆變器環(huán)節(jié)IGBT、MOSFET等配套企業(yè)到2027年，招引企業(yè)新增產(chǎn)值100億元。

政策動態(tài)

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

12月22日，意法半導(dǎo)體官微宣布，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議按照協(xié)議，意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署據(jù)介紹，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)

汽車

[特種氣體]：氧化鎵商業(yè)化腳步臨近，或?qū)⑴c碳化硅直接競爭

雖然氧化鎵應(yīng)用前景已經(jīng)被多領(lǐng)域廣泛看好，但未來氧化鎵材料需要在高質(zhì)量、低缺陷、大尺寸單晶方面的生產(chǎn)技術(shù)進行突破，并在電子器件的商業(yè)化、大規(guī)模應(yīng)用上發(fā)力 此外，導(dǎo)熱性能較差也是氧化鎵材料的短板因此，許多單位開展將轉(zhuǎn)移晶圓級氧化鎵薄膜于高導(dǎo)熱襯底的研究，如轉(zhuǎn)移到高導(dǎo)熱率碳化硅和碳基襯底上異質(zhì)集成制備氧化鎵MOSFET器件，近日也出現(xiàn)了將氧化鎵與金剛石進行鍵合的消息美國弗吉尼亞理工大學(xué)通過雙面銀燒結(jié)的封裝方式解決散熱問題，能夠?qū)ё咝ぬ鼗Y(jié)處產(chǎn)生的熱量，在結(jié)處的熱阻為0.5K/W，底處1.43，瞬態(tài)時可以通過高達70A的浪涌電流。

下游動態(tài)

三安光電：車企用碳化硅產(chǎn)品尚在驗證階段

上市公司三安光電旗下湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅應(yīng)用專家施洪亮博士表示，目前公司第二代碳化硅MOSFET（金屬氧化物場效應(yīng)管）處于車企驗證階段，三代產(chǎn)品預(yù)計2025年推出。

聚焦

金剛石，將在功率市場大放異彩

隨著硅接近其物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)正在探索寬帶隙 (WBG) 材料，尤其是碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 以及更進一步的金剛石 特斯拉于 2018 年啟動 SiC 功率器件市場，成為第一家在其 Model 3 中使用 SiC MOSFET 的汽車制造商 多年來，特斯拉一直是 SiC 市場增長的主要貢獻者但在特斯拉宣布其下一代動力總成將使用永磁電機后，該行業(yè)陷入了恐慌，這將減少 75% 的 SiC 使用。

熱點資訊

汽車用功率半導(dǎo)體峰會5月底在杭州舉辦

目前全球功率半導(dǎo)體缺貨漲價現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導(dǎo)體企業(yè)有望把握機遇，加速推進國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實現(xiàn)功率半導(dǎo)體的自主可控，如何進行提前布局等；未來碳化硅功率半導(dǎo)體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應(yīng)用，碳化硅功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導(dǎo)體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)?；瘧?yīng)用及可靠性等。

會展信息

車用功率半導(dǎo)體峰會5月底在杭州舉辦

Strategy Analytics預(yù)測，功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比，將從傳統(tǒng)燃油車的 21%提升至純電動車的 55%，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件目前功率半導(dǎo)體市場主要被海外大廠占據(jù)，中國企業(yè)起步較晚，高端產(chǎn)品自給率仍然較低，國產(chǎn)替代空間較大目前全球功率半導(dǎo)體缺貨漲價現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導(dǎo)體企業(yè)有望把握機遇，加速推進國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實現(xiàn)功率半導(dǎo)體的自主可控，如何進行提前布局等；未來碳化硅功率半導(dǎo)體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應(yīng)用，SiC功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導(dǎo)體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)?；瘧?yīng)用及可靠性等。

聚焦

特斯拉減用碳化硅，是“王炸”還是“虛驚”

自2018年起，特斯拉、比亞迪、蔚來等車企紛紛開始用碳化硅功率器件部分替代IGBT 鯨平臺智庫專家、大菲資本董事總經(jīng)理張力向《科創(chuàng)板日報》記者表示，“碳化硅的主要邏輯是作為碳化硅MOSFET替代IGBT，過去因為硅材料的性質(zhì)，在高鐵、電網(wǎng)、風(fēng)電等超高壓領(lǐng)域，以及新能源汽車逆變器這些中高壓領(lǐng)域，只能用IGBT但現(xiàn)在碳化硅MOSFET不僅能用、而且好用” “等碳化硅在汽車領(lǐng)域進行快速迭代后，還有光伏、風(fēng)電等更大的市場。

汽車

長城汽車發(fā)力第三代半導(dǎo)體，重要項目在無錫動工

據(jù)相關(guān)分析數(shù)據(jù)顯示，從燃油車到純電動汽車，單車半導(dǎo)體價值量將從457美元提升至834美元，單車價值量增長最大的排序依次為：功率半導(dǎo)體>傳感器>MCU（主控）其中功率半導(dǎo)體的單車價值量，從燃油車到新能源汽車有望實現(xiàn)數(shù)倍增長，達到約450美元 從功率器件種類來看，目前新能源汽車功率半導(dǎo)體以硅基的IGBT、MOSFET為主，但由于以SiC、GaN等為代表的第三代半導(dǎo)體材料在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，相比硅基器件具有耐高壓、耐高溫、功耗低、體積小、重量輕等顯著優(yōu)勢，被普遍認(rèn)為將逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體,在新能源汽車領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

產(chǎn)業(yè)資訊

[特種氣體]：功率半導(dǎo)體，不相信下行周期

同時還存在無序競爭嚴(yán)重的問題 近年來，第三代半導(dǎo)體在多個領(lǐng)域嶄露頭角以碳化硅、氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已然成為產(chǎn)業(yè)端和投資界的寵兒 綜合來看，各類型的半導(dǎo)體有其適合應(yīng)用之處，未來不論是硅基的IGBT、MOSFET或是以SiC為基底的IGBT、MOSFET，都會根據(jù)所需效能及材料特性，找到適合的應(yīng)用場域 從全球擴產(chǎn)情況來看，國外供應(yīng)商擴產(chǎn)項目以12英寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)線，以及6英寸、8英寸碳化硅產(chǎn)線為主。

下游動態(tài)

揚杰科技投建，總投資10億元的半導(dǎo)體材料項目即將投產(chǎn)

揚杰科技是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的供應(yīng)商，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、MOSFET、IGBT 及碳化硅 JBS、大功率模塊、小信號二三極管、功率二極管、整流橋等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域 20219年9月，揚杰科技與四川雅安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資協(xié)議書》，擬在雅安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體單晶材料擴能項目。

電子/半導(dǎo)體

[特種氣體]：碳化硅時代來臨，各大供應(yīng)商怎么看

Dogmus 說：“硅 MOSFET 經(jīng)歷了漸進式增長和數(shù)十年的改進，已經(jīng)接近其理論邊界從歷史上看，這些 MOSFET 產(chǎn)品已足以滿足其目標(biāo)應(yīng)用的需求 與此同時，碳化硅和氮化鎵等創(chuàng)新寬禁帶材料表現(xiàn)出的性能特性超過了硅基器件”Dogmus 說“憑借高擊穿電壓、高開關(guān)速度和小尺寸，寬禁帶材料是補充電力市場行業(yè)的最有前途的候選材料。

下游動態(tài)

[特種氣體]：“雙碳”目標(biāo)下三代半導(dǎo)體的發(fā)展分析

SiC的MOSFET器件將隔離區(qū)做的更薄，導(dǎo)通阻值小，從而減小了能量損耗 在二級管中，以硅做成的肖特基構(gòu)造電壓可以達到250 V，而碳化硅的則可達到4 000 V；晶體管中，硅的MOSFET常規(guī)來說可以做到900~1 500 V，但特性不好，而SiC的器件的電壓可達3 300 V600 V以上耐壓功率元器件，硅器件中以PN(FRD)、IGBT為代表，其耐壓性、補充導(dǎo)通阻抗可以調(diào)節(jié)傳導(dǎo)率、因載流子少數(shù)積蓄使得恢復(fù)變慢；硅器件中以MOSFET為例，SJRON稍微改善、耐壓可達900 V、高速但阻抗大、恢復(fù)快；而SiC器件（如SBD、MOSFET）具有高耐壓性、外延層導(dǎo)通阻抗小、SW損耗急劇降低的特點。

下游動態(tài)

“智能汽車”成半導(dǎo)體行業(yè)新增長極 華微電子加速國產(chǎn)化

近幾年，白色家電用的IGBT、MOSFET和可控硅產(chǎn)品，華微電子在國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了進口品牌的替代，成為海爾、海信、美的等品牌產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商 隨著國內(nèi)疫情緩解以及政策刺激，新能源車銷量連續(xù)走高，去年12月單月銷量超過20萬輛2020年新能源乘用車?yán)塾嬩N量111.5萬輛，同比增長5.16%2021年新能源汽車?yán)塾嬩N量預(yù)計將達到200萬輛，同比增長46.3%而在國家政策的支持下，2025年國內(nèi)新能源汽車銷量有望達到600萬輛。

汽車